场效应管的代换规则是什么呢

场效应管的代换规则是什么呢

在主板上，场效应管的代换规则是:

1、场效应管的代换只需大小相同，分清N沟道和P沟道即可。

2、场效应管的代换中，功率大的场效应管可以代换功率小的场效应管。

3、场效应管的代换中，技嘉主板的场管最好原值代换。

场效应管5n60c技术参数

5N60C是N沟道MOS场效应管，漏极电流为4、5A，脉冲电流允许18A，D-S耐压600V。功耗:33W，工作温度范围:-55°C to +150°C，封装类型:TO-220F，功率，Pd:33W，封装类型:TO-220F，常用于开关电源中作开关管。

场效应管工作原理

1、场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。

2、在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。